1、什么是PN结
2、PN结的关键参数
3、印刷工序是否对PN结有影响呢？
1、什么是PN结
PN结:在同一纯净的硅片上，有N型半导体和P型半导体两部分组成，他们的交界面就是PN结。
想要更好理解其中含义，需要知道啥是P型半导体、N型半导体。
半导体:既容易得电子，也容易失电子，硅的最外层电子是4个，原子对电子的束缚能力不太强，容易转化为自由电子，处于绝缘体和金属之间。
本征半导体:纯净的硅片，只含硅元素，没有掺杂，不导电。
P型半导体:掺杂硼的本征半导体。
N型半导体:掺杂磷的本征半导体。
2、PN结的关键参数
扩散的三个指标——方阻、结深和表面浓度，在半导体工艺中各自扮演着重要的角色，它们共同影响着半导体器件的性能和特性。
方阻：方阻是描述材料电阻特性的一个参数，它表示单位面积上的电阻值。在半导体扩散过程中，方阻的大小直接反映了扩散层的导电性能。方阻越小，说明扩散层的导电性能越好，反之则导电性能越差。通过控制扩散条件，可以调整方阻的大小，从而优化半导体器件的电阻特性。结深：结深是指扩散层与基体之间的界面深度。在半导体工艺中，结深的大小决定了器件的击穿电压和漏电流等关键参数。较深的结深可以提高器件的击穿电压，但也可能增加漏电流；而较浅的结深则可以降低漏电流，但击穿电压可能较低。因此，在扩散过程中需要精确控制结深，以达到器件性能的最优化。表面浓度：表面浓度是指扩散层表面的杂质浓度。它影响着半导体器件的表面电学特性，如表面电阻率和表面态密度等。通过调整扩散过程中的杂质源浓度和扩散时间，可以控制表面浓度的分布，从而优化器件的表面性能。
3、印刷工序是否对PN结有影响呢？
LECO产生的的高温仅仅在栅线区的个别触点上，并没有如印刷浆料一般覆盖整个细栅区，触点很小，只腐蚀了绒面的塔尖尖儿，不同于前道SE工序的激光影响到整个细栅区。
且LECO这种瞬间高温具有来的快去得也快的特性，持续时间在几微秒~几毫秒之间，没有足够的时间让硼原子向内扩散。
激光功率也较SE功率明显偏小，不会产生重掺效果，也不会在表面产生微损伤。
综上，目前印刷对PN结没有影响，特别是在加载LECO后，钝化层被破坏从而降低开压的风险更小了。